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MEM2302,20V,3A,N沟道增强型MOSFET分立元件

MEM2302】20V,3A,N沟道增强型MOSFET分立元件

  • MEM2302 所属品牌:微盟
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MEM2302 详细介绍
相关商品: SI2301

MEM2302特点:
• 20V/3A
• RDS(ON) =29mΩ@VGS=4.5V,ID=3A
• RDS(ON) =36mΩ@VGS=2.5V,ID=2A
• 超大密度单元、极小的RDS(ON))
• 超小封装:SOT23


MEM2302描述:
MEM2302系列N沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。MEM2302高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2302XG适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路,这种低损耗可采用小尺寸封装。


MEM2302
技术参数:
• MEM2302 20V 3A N沟道增强型 MOSFET
• N沟道增强型
• 采用高单元密度等DMOS沟道技术
• 漏源电压VDS:20V
• 栅源电压VGS:±8V
• 漏极电流ID:3A
• 输入阻抗RDS(on):29mΩ@VGS=4.5V,ID=3A
• 输入阻抗RDS(on):36mΩ@VGS=2.5V,ID=2A
• 输入电容Ciss:300pF (VDS=10V,VGS=0V, f=1MHz)
• 输出电容Coss:120pF (VDS=10V,VGS=0V, f=1MHz)
• 反馈电容Crss:80pF (VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz)
• 最大耗散功率PD:700mW
• 贮存温度Tstg:-65℃~150℃
• 替换参考:FDS9435,SDM9435A
• 封装形式:SOT23-3L
• 应用领域:MEM2311适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑等电源管理和其他电池等电源管理,高速开关,低功率DCDC转换
• 选型指南:MEM2302M3G SOT23-3L、MEM2302XG SOT23


MEM2302替换参考:
• FDS9435,SDM9435A


MEM2302
典型应用:
• 变频/控制/驱动电路 »» 低功率DC/DC转换
• 变频/控制/驱动电路 »» 高速开关
• 电源设备 »» 电源管理

 

MEM2302应用:
• 电池电源管理
• 高速开关
• 低功率DC/DC转换


南京微盟MOS管产品列表:

产品名称
通道
VDS(Max)
VGS
ID电流
导通电阻
封装形式
NMOS 
20V 
10V 
5A 
23mΩ  
SOP8 
PMOS 
-20V 
-8V 
-3.1A 
100mΩ  
SOT23 
PMOS 
-30V 
-12V 
-4.3V 
50mΩ  
SOT23 
NMOS 
30V 
12V 
5.7A 
32mΩ  
SOT23 
PMOS 
-30V 
-20V 
-4.3A 
78mΩ  
SOT23 
PMOS 
-30V 
-20V 
-6A 
53mΩ  
SOP8/SOT89 
PMOS 
-30V 
-20V 
-6A 
53mΩ  
SOP8 
NMOS 
20V 
8V 
3A 
29mΩ  
SOT23 
NMOS 
20V 
12V 
6A 
20mΩ  
TSSOP8/SOT26 
NMOS 
20V 
12V 
6A 
19mΩ  
TSSOP8/SOT26