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MEM2311,30V,6A,双P沟道增强型MOSFET分立元件

MEM2311】30V,6A,双P沟道增强型MOSFET分立元件

  • MEM2311 所属品牌:微盟
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MEM2311 详细介绍
相关商品: SI2301

MEM2311特点:
• -30V/-6A
• RDS(ON) =52mΩ@ VGS=-10V,ID=-6A
• RDS(ON) =67mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A
• 超大密度单元、极小的RDS(ON))
• 采用SOP8封装
 

MEM2311描述:
MEM2311系列双P沟道增强型功率场效应(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。MEM2311高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2311适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。


MEM2311SG技术参数
MEM2311SG 30V 6A 双P沟道增强型 MOSFET
• 双P沟道增强型
• 采用高单元密度等DMOS沟道技术
• 漏源电压VDS:-30V
• 栅源电压VGS:±20V
• 漏极电流ID:-6A
• 输入阻抗RDS(on):52mΩ@VGS=-10V,ID=-6A
• 输入阻抗RDS(on):67mΩ@VGS=-4.5V,ID=-4.0A
• 输入电容Ciss:530pF (VDS=-15V,VGS=0V, f=1MHz)
• 输出电容Coss:140pF (VDS=-15V,VGS=0V, f=1MHz)
• 反馈电容Crss:70pF (VDS=-15V, VGS=0V, f=1MHz)
• 最大耗散功率PD:1W
• 贮存温度Tstg:-65℃~150℃
• 替换参考:FDS9435,SDM9435A
• 封装形式:SOP8



MEM2311SG替换参考:
FDS9435,SDM9435A
 


MEM2311选型指南:
MEM2311SG SOP8


南京微盟MOS管产品列表:

产品名称
通道
VDS(Max)
VGS
ID电流
导通电阻
封装形式
NMOS 
20V 
10V 
5A 
23mΩ  
SOP8 
PMOS 
-20V 
-8V 
-3.1A 
100mΩ  
SOT23 
PMOS 
-30V 
-12V 
-4.3V 
50mΩ  
SOT23 
NMOS 
30V 
12V 
5.7A 
32mΩ  
SOT23 
PMOS 
-30V 
-20V 
-4.3A 
78mΩ  
SOT23 
PMOS 
-30V 
-20V 
-6A 
53mΩ  
SOP8/SOT89 
PMOS 
-30V 
-20V 
-6A 
53mΩ  
SOP8 
NMOS 
20V 
8V 
3A 
29mΩ  
SOT23 
NMOS 
20V 
12V 
6A 
20mΩ  
TSSOP8/SOT26 
NMOS 
20V 
12V 
6A 
19mΩ  
TSSOP8/SOT26