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MEM2318,20V,6A,双N沟道增强型ESD保护MOSFET

MEM2318】20V,6A,双N沟道增强型ESD保护MOSFET

  • MEM2318 所属品牌:微盟
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MEM2318 详细介绍

MEM2318典型应用:
• 电源设备 »» 电池保护
• 电源设备 »» 电源管理
• 电源设备 »» 负载开关
• 变频/控制/驱动电路 »» 低功率DC/DC转换
• 计算机/显示器 »» 液晶显示器


MEM2318描述:
MEM2318系列双N沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。MEM2318高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2318适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。


MEM2318特点:
• 20V/6A
• RDS(ON) =18mΩ@ VGS=4.5V,ID=6A
• RDS(ON) =19mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A
• 超大密度单元、极小的RDS(ON))
• 贴片封装:TSSOP-8
• ESD保护:3000V
• 封装形式:TSSOP8,SOT-23-6


MEM2318技术参数:
• MEM2318 20V 6A 双N沟道增强型 ESD保护 MOSFET
• 双N沟道增强型金属氧化物半导体场效应管
• 采用高单元密度等DMOS沟道技术
• ESD保护:3000V
• 漏源电压VDS:20V
• 栅源电压VGS:±12V
• 漏极电流ID:6A
• 输入阻抗RDS(on):18mΩ@VGS=4.5V,ID=6A
• 输入阻抗RDS(on):19mΩ@VGS=3.85V,ID=5A
• 输入电容Ciss:1120pF (VDS=8V,VGS=0V, f=1MHz)
• 输出电容Coss:480pF (VDS=8V,VGS=0V, f=1MHz)
• 反馈电容Crss:110pF (VDS=8V, VGS=0V, f=1MHz)
• 最大耗散功率PD:2W
• 贮存温度Tstg:-65℃~150℃
• 替换参考:SI6968BEDQ
• 封装形式:SOT23-6,TSSOP8


MEM2318应用领域:
• 笔记本电脑等电源管理和其他电池等电源管理,
• 便携式设备
• DC/DC转换
• 负载开关,电池保护
• LCD显示适配器


MEM2318选型指南:
• MEM2318FG TSSOP8封装
• MEM2318M6G SOT23-6封装


MEM2318替换参考:
• SI6968BEDQ


MEM2318
应用:
• 笔记本电池管理
• 便携式设备
• 电池电源系统
• DC/DC转换
• 负载开关
• LCD显示适配器


南京微盟MOS管产品列表:

产品名称
通道
VDS(Max)
VGS
ID电流
导通电阻
封装形式
NMOS 
20V 
10V 
5A 
23mΩ  
SOP8 
PMOS 
-20V 
-8V 
-3.1A 
100mΩ  
SOT23 
PMOS 
-30V 
-12V 
-4.3V 
50mΩ  
SOT23 
NMOS 
30V 
12V 
5.7A 
32mΩ  
SOT23 
PMOS 
-30V 
-20V 
-4.3A 
78mΩ  
SOT23 
PMOS 
-30V 
-20V 
-6A 
53mΩ  
SOP8/SOT89 
PMOS 
-30V 
-20V 
-6A 
53mΩ  
SOP8 
NMOS 
20V 
8V 
3A 
29mΩ  
SOT23 
NMOS 
20V 
12V 
6A 
20mΩ  
TSSOP8/SOT26 
NMOS 
20V 
12V 
6A 
19mΩ  
TSSOP8/SOT26