SI2306—N沟道超高速开关场效应管。
SI2306低通态电阻,低压驱动,高效节能。
SI2306主要参数：
SI2306晶体管类型：P沟道MOSFET
SI2306最大功耗PD：1.25W
SI2306栅极门限电压VGS：2.5V（典型值）
SI2306漏源电压VDS：－20V（极限值）
SI2306漏极电流ID：－2.3A
SI2306通态电阻RDS(on）：0.145ohm（典型值）
SI2306栅极漏电流IGSS：±100nA
SI2306结温：55℃to+150℃
SI2306封装类型：SOT-23
SI2306兼容XP151A/Si2302/Si2306/AO3400SOT23 。
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公司产品线包含 LED背光驱动IC、 锂电池充电IC、
升压转换器BOOST DC/DC、 降压转换器、
LDO稳压器件等电源IC，主要应用于各种手持式消费
电子产品如PMP、GPS、MID、数码相机以及迷你音箱等。