【MEM2306】_MEM2306电路_MEM2306封装_MEM2306功能

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MEM2306描述:
MEM2306系列双N沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2306适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。


MEM2306特点:
• 20V/5A
• RDS(ON) =23.8mΩ@ VGS=3.85V,ID=5A
• 超大密度单元、极小的RDS(ON))
• 贴片封装:SOP8


MEM2306应用:
• 笔记本电池管理
• 便携式设备
• 电池电源系统
• DC/DC转换
• 负载开关
• LCD显示适配器


南京微盟MOS管产品列表:

产品名称
通道
VDS(Max)
VGS
ID电流
导通电阻
封装形式
NMOS 
20V 
10V 
5A 
23mΩ  
SOP8 
PMOS 
-20V 
-8V 
-3.1A 
100mΩ  
SOT23 
PMOS 
-30V 
-12V 
-4.3V 
50mΩ  
SOT23 
NMOS 
30V 
12V 
5.7A 
32mΩ  
SOT23 
PMOS 
-30V 
-20V 
-4.3A 
78mΩ  
SOT23 
PMOS 
-30V 
-20V 
-6A 
53mΩ  
SOP8/SOT89 
PMOS 
-30V 
-20V 
-6A 
53mΩ  
SOP8 
NMOS 
20V 
8V 
3A 
29mΩ  
SOT23 
NMOS 
20V 
12V 
6A 
20mΩ  
TSSOP8/SOT26 
NMOS 
20V 
12V 
6A 
19mΩ  
TSSOP8/SOT26 


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