MEM2302特点:
• 20V/3A
• RDS(ON) =29mΩ@VGS=4.5V，ID=3A
• RDS(ON) =36mΩ@VGS=2.5V，ID=2A
• 超大密度单元、极小的RDS(ON)）
• 超小封装：SOT23

MEM2302描述:
MEM2302系列N沟道增强型功率场效应管（MOSFET），采用高单元密度的DMOS沟道技术。MEM2302高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2302XG适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路,这种低损耗可采用小尺寸封装。

MEM2302技术参数：
• MEM2302 20V 3A N沟道增强型 MOSFET
• N沟道增强型
• 采用高单元密度等DMOS沟道技术
• 漏源电压VDS：20V
• 栅源电压VGS：±8V
• 漏极电流ID：3A
• 输入阻抗RDS(on)：29mΩ@VGS=4.5V,ID=3A
• 输入阻抗RDS(on)：36mΩ@VGS=2.5V,ID=2A
• 输入电容Ciss：300pF (VDS=10V,VGS=0V, f=1MHz)
• 输出电容Coss：120pF (VDS=10V,VGS=0V, f=1MHz)
• 反馈电容Crss：80pF (VDS=10V, VGS=0V, f=1MHz)
• 最大耗散功率PD：700mW
• 贮存温度Tstg：-65℃~150℃
• 替换参考：FDS9435,SDM9435A
• 封装形式：SOT23-3L
• 应用领域：MEM2311适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑等电源管理和其他电池等电源管理，高速开关，低功率DCDC转换
• 选型指南：MEM2302M3G SOT23-3L、MEM2302XG SOT23

MEM2302替换参考：
• FDS9435，SDM9435A

MEM2302典型应用：
• 变频/控制/驱动电路 »» 低功率DC/DC转换
• 变频/控制/驱动电路 »» 高速开关
• 电源设备 »» 电源管理

MEM2302应用:
• 电池电源管理
• 高速开关
• 低功率DC/DC转换

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