MEM2303描述:
MEM2303系列P沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。MEM2303高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。MEM2303适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路,这种低损耗可采用小尺寸封装。
MEM2303特点:
• -30V/-4.2A
• RDS(ON) =50mΩ@ VGS=-10V,ID=-4.2A
• RDS(ON) =56mΩ@ VGS=-4.5V,ID=-4A
• RDS(ON) =71mΩ@ VGS=-2.5V,ID=-2.5A
• 超大密度单元、极小的RDS(ON))
• 超小封装:SOT23
MEM2303应用:
• 电源管理
• 负载开关
• 电池保护
南京微盟MOS管产品列表:
产品名称 | 通道 | VDS(Max) | VGS | ID电流 | 导通电阻 | 封装形式 |
NMOS | 20V | 10V | 5A | 23mΩ | SOP8 | |
PMOS | -20V | -8V | -3.1A | 100mΩ | SOT23 | |
PMOS | -30V | -12V | -4.3V | 50mΩ | SOT23 | |
NMOS | 30V | 12V | 5.7A | 32mΩ | SOT23 | |
PMOS | -30V | -20V | -4.3A | 78mΩ | SOT23 | |
PMOS | -30V | -20V | -6A | 53mΩ | SOP8/SOT89 | |
PMOS | -30V | -20V | -6A | 53mΩ | SOP8 | |
NMOS | 20V | 8V | 3A | 29mΩ | SOT23 | |
NMOS | 20V | 12V | 6A | 20mΩ | TSSOP8/SOT26 | |
NMOS | 20V | 12V | 6A | 19mΩ | TSSOP8/SOT26 |