MT2306主要参数：
MT2306晶体管类型：P沟道MOSFET
MT2306最大功耗PD：1.25W
MT2306栅极门限电压VGS：2.5V（典型值）
MT2306漏源电压VDS：－20V（极限值）
MT2306漏极电流ID：－2.3A
MT2306通态电阻RDS(on）：0.145ohm（典型值）
MT2306栅极漏电流IGSS：±100nA
MT2306结温：55℃to+150℃
MT2306封装类型：SOT-23